SK海力士官宣238层NAND闪存芯片出世 拟于2023年上半年量产
时间:2025-07-07 04:18:56 出处:知识阅读（143）
世界第二大存储芯片制造商韩国SK海力士周三表示，海力已开发出其最先进的士官闪存NAND闪存芯片，该芯片由238层存储单元组成，宣层芯片将用于个人电脑存储设备，出世以及智能手机和服务器。拟于年上SK海力士称新的半年238层芯片是最小的NAND闪存芯片，数据传输速度相比上代产品提升50%，量产读取数据消耗的海力能量降低21%。此外，士官闪存该公司准备于2023年上半年开始大规模生产新芯片。宣层芯片
据了解，出世英特尔（INTC.US）NAND业务被SK海力士收购后更名为Solidigm，拟于年上它与SK海力士合计占有全球NAND闪存市场的半年18%，仅次于三星的量产35.3%和Kioxia的18.9%。值得一提的海力是，此前美国竞争对手美光科技（MU.US）在上周宣布，已开始出货一款232层的NAND闪存芯片。
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